国产AV无码一区二区三区,AV无码精品一区二区三区,精品亚洲AV无码一区二区三区

您好,歡迎訪問昆山普樂斯電子科技有限公司官方網站! 收藏普樂斯|在線留言|HTML地圖|XML地圖|English

普樂斯電子

普樂斯13年專注等離子清洗機研制低溫等離子表面處理系統方案解決商

業務咨詢熱線:400-816-9009免費等離子清洗機處理樣品

熱門關鍵字:應用方案 大氣等離子清洗機 真空等離子清洗機 等離子清洗機廠家

當前位置普樂斯首頁 > 普樂斯資訊 > 行業資訊 >

普樂斯等離子清洗機帶你走進一線工程師眼中的國產光刻膠!

返回列表 來源:半導體行業聯盟 瀏覽: 發布日期:2022-02-17 10:20【
文章導讀:春節在家,普樂斯等離子清洗機工程師在半導體行業群內聽到眾多Fab廠工程師以及一線光刻工程師交流甚多,大家不約而同地提及到了國產光刻膠的問題,于是將大家的觀點進行了匯總,讓大家更直觀的了解他們眼中的國產光刻膠情況。
春節在家,普樂斯等離子清洗機工程師在半導體行業群內聽到眾多Fab廠工程師以及一線光刻工程師交流甚多,大家不約而同地提及到了國產光刻膠的問題,于是將大家的觀點進行了匯總,讓大家更直觀的了解他們眼中的國產光刻膠情況。
 
第一部分主要講一下專業人士眼中的光刻工藝與技術難點
 
光刻,顧名思義,用光進行雕刻,以光為工具將光罩(mask)上的圖案轉移到晶圓上的過程,聽起來很簡單,但要想實現這個圖形的轉移,過程很復雜,技術難點也很多。從結果導向來看,主要做好三件事—CD(critical dimension:關鍵尺寸),OVL(overlay:套刻精度)和defect(圖形缺陷)。
 
(1)要做好CD,需要通過光罩設計和工藝制程兩步去實現它。先講一下光罩設計與OPC。要想在晶圓上最終得到所需要大小的圖形,首先應該在光罩上的對應位置上定義好相應大小的圖形,再通過一定比例的轉換轉移到晶圓上。理論上,光罩設計的圖形是什么樣,通過一定比例轉印到晶圓上,就應該得到什么樣的圖形,但實際情況更復雜。隨著摩爾定律的不斷演進,芯片制造所需目標圖形的尺寸不斷變小,干涉和衍射現象就會更加明顯,而這將直接影響圖形的轉印。所以,為了使光刻后晶圓上的圖形與設計圖形一致,需要對光罩上的圖形進行修正,而這就是光刻的兄弟部門——OPC(光學臨近修正)。
普樂斯等離子清洗機處理光刻膠
解決了OPC的問題,接下來就是工藝制程。在此之前,先來了解一下整個光刻工藝流程,光刻制程的機臺包括勻膠顯影機(track)和我們熟知的光刻機(scanner),track負責涂膠和顯影,scanner負責曝光。以正膠為例,wafer首先進到track里面涂覆一層光刻膠,PAB(Post Apply Bake,后烤工序。用來升溫蒸發大部分光刻膠中的溶劑,固化光刻膠,提高粘附性),冷卻到室溫后,移動到光刻機進行曝光,后面再回到track進行顯影,最后PEB(Post Exposure Bake,曝光后烘烤)讓顯影過程完全。然后,晶圓離開光刻室,進入刻蝕或離子注入的工藝。
普樂斯等離子清洗機處理 光刻膠
整個光刻過程,單從CD角度考慮,就有很多前期工作要做。
 
首先,光刻膠的選擇與評估。從研發的角度來看,要先評估這只光刻膠是否能滿足工藝需求。以Krf光刻膠為例:
 
第一步要做的是調節光刻膠的噴量,一般來說光刻膠單次噴量要控制在1.0cc~2.0cc左右,光刻膠量過少容易產生poor coating(即常硅片邊緣曝光中出現的PR涂覆不完全的情況),直接影響整個光刻過程。
 
第二步,是光刻膠膜厚,膜厚要考慮的是整個光刻膠的profile,不同的fab廠要求不一樣,大部分要求光刻膠膜厚的范圍控制在目標膜厚的1%以內,比如膜厚目標值是2800A,膜厚變動范圍要卡在28A以下,有些則會要求膜厚的3sigma值是否在target 1.5%以下等。
 
第三步,是看這只光刻膠的工藝參數是否達標(一般是和對標的光刻膠進行比較)。其中,包括DOF(Depth of Focus,在聚焦深度范圍內,曝光成像的質量是可以保證的,曝光時候的DOF必須遠大于晶圓表面的不平整度,這樣才能保證光刻工藝的良率。也就是說,要保證焦距的工藝窗口是否能cover晶圓表面高低差的最大值);EL(Exposure Latitude曝光寬容度,也可以叫能量窗口,曝光容忍度大的膠受曝光能量浮動或不均勻的影響較小。一般是在滿足DOF的前提下保證EL達標,比如Krf光刻膠一般要滿足DOF大于150nm時,同時要讓EL達到10%),CD uniformity(保證晶圓不同shot里的相同位置的CD的均一性,主要是看CDU的3simga值是否in spec);CD LWR(Line Width Roughness,光刻膠的線寬粗糙度,指由于邊緣粗糙導致的光刻膠線寬相對于目標值的偏離)等等。
 
(2)OVL是除CD以外另外一項重要的量測指標,OVL簡單來說就是當層的圖形和前層的圖形對的是否準不準,技術工藝越先進,對OVL的要求就越高。因為隨著節點的不斷做小,留給OVL的窗口也越來越小,OVL勢必會越來越難做。OVL的量測模式業界一般有兩種,IBO(Image Based Overlay)和DBO(Diffraction Based Overlay),IBO顧名思義,就是對當層和前層的量測Mark拍照,看疊的到位不到位,而DBO是通過收集當層和前層的量測Mark的衍射光,將光信號轉換成數字信號而反映出來。
 
(3)整個光刻過程的Defect (圖形缺陷)主要由設備和工藝上原因導致的。設備導致的圖型缺陷可以通過定期的機臺維護和清理來解決;工藝導致的圖形缺陷主要包括coating Defect和DEV Defect,Coating Defect主要是光刻膠本身的特性決定,這個一般在光刻膠評估階段就會被發現并解決;另外就是Developing Defect,主要是由顯影過程不完全導致,需要通過不斷優化顯影配方去改善, 國內廠商有時因為對于材料的基礎知識認知不完善,在光阻添加劑的上運用不合理,也會導致某些光阻的顯影缺陷遠差于國外大廠。這個過程,從找到根源到最終解決往往需要比較長的周期。
 
總體來說,相對于更依賴系統和光刻機來調控的OVL,CD和Defect其實更依賴于光刻膠的特性。光刻的工藝窗口取決于光刻膠的性能,即使機臺性能再如何優化,光刻膠的性能不達標,光刻工藝完全無法進行下去,可以說光刻膠撐起了光刻工藝的半壁江山。
 
第二部分主要分享他們眼中的國產光刻膠
 
入行以來就一直都在光刻部門,最開始關注和接觸的是國外的光刻膠廠商,如信越,DOW,JSR,TOK,這幾家大廠提供了我們所需全部45nm-14nm先進制程的光刻膠。直到中美貿易戰打響,國外廠商開始對我們限供甚至斷供部分光刻膠,這些都可以直接決定我們晶圓產線的生死。在這樣的背景下,我們才慢慢把視線轉移到國產光刻膠上來,從最開始的北京科華,到上海新陽,再到徐州博康。
 
在此過程中,我們是深切體會到國產半導體光刻膠與國外大廠產品的差距,包括工藝窗口不足,光刻膠profile差異,各種Defect問題,還有就是穩定量產以及原材料渠道等問題,這些都是急需解決的。反過來,這些問題會在很長一段時間會限制國內各大Fab廠的發展進程。
 
不過光刻材料國產化的道路也并非是無路可走,光刻膠性能方面的問題可以通過優化配方來改善。要知道,就算是像DOW這樣大廠的某款在業內被稱為“妖膠”的UV1610系列光刻膠,最開始的評估歷程也不是一帆風順的,它經歷了十幾次的配方優化,光是評估周期就花了1-2年時間。要說它本身的特性有多優良,也不見得,關鍵是它的普適性較強,以Logic 28HK的光刻制程為例,UV1610系列產品應用在Well Loop,LDD Loop,SIGE Loop,SD Loop等,這款光刻膠囊括了整個28HK光刻制程近三分之一的應用。它的工藝窗口不是特別優良,但是基本能滿足工藝要求,它的普適性和廠商的及時跟進與實時反饋,讓這只光刻膠得以在28HK上量產,名氣也瞬間打響。所以看國產光刻膠公司,要重點看他們的品類與款數是不是夠多,單純只是在某1-2款光刻膠做出突破,意義不是很大,一定要有普適性,能夠大范圍的應用在Fab的不同層面工藝。比如能同時解決高端Arf與Krf,線條與孔洞膠的公司,Fab和這一家深度合作就可以解決大部分急切的問題,整體合作與導入的成本也會更低。
 
也正因為這些國外大廠恃才傲物,對很多國內Fab客戶的服務態度變得敷衍起來,他們認為你離開我的產品就得死,就算我的服務態度差,你也不敢不用我們的產品。比如日本的某大牌,他們最初是和臺積電合作的,很多光刻膠產品都是通過臺積電這家業界代工大佬打響名氣的,大佬都在用,你們這些小廠愛用不用,我也沒求著你們用,不過我認為正是這種有恃無恐,恃才傲物的態度給了我們國產光刻膠廠商巨大的機會。國產光刻膠產品性能不足,那就不斷測試,不斷反饋,不斷優化,而且在國家大力扶持半導體國產材料的大背景下,國產化進程將更加高效。目前,國內已經有優秀公司脫穎而出,當中有些幾乎能滿足大多數Fab廠的需求,而且研發反饋的效率也很高,欠缺的無非是經驗而已。。
 
在先進制程領域運用較多的還是Arf immersion的光刻膠,而且由于光刻層數的增多,對國產光刻膠廠商而言就是一塊巨大的蛋糕,不管最后這些先進制程能否突破及量產,能夠在Arf immersion光刻膠突破的國產光刻膠公司都足夠證明自己的技術與工藝優勢,肯定能在國產光刻材料市場占據一片天地。
 
最后,也有一些分享寄語國產光刻膠公司。首先,敢在這個領域奮進的公司本身就已值得所有半導體同仁的尊敬,整體工藝難度之高在整個材料領域無出其右。其次,還是要與國內Fab廠深度綁定,從其需求點出發進行技術研發與工藝改進。具體來講:
 
(1)打通各個Fab廠的供應鏈,對于成熟工藝和尚在研發的工藝,應該分清主次,拿下成熟工藝的替換,耐心完成先進工藝開發的評估,實時跟進,拼盡全力,掌握主動權;
 
(2)要維護好與各大Fab廠的關系,研發和生產是產品評估的關鍵,一般研發負責新技術節點的開發,所以評估的光刻膠多用于新節點,周期一般較長;而生產更注重量產產品的替換,節奏更為緊湊。
 
(3)Fab非??粗夭牧瞎姆€定性,國產光刻膠公司要抓緊解決樹脂乃至單體的問題,因為已經聽說材料的短缺已經影響到了最終光刻膠的穩定供應。
 
總的來說,最近兩年來,普樂斯等離子清洗機的工程師和大家一樣對國產半導體材料的崛起信心越來越足,也期待國產材料特別是國產光刻膠在大的Fab廠放量。

本資訊來源于半導體行業聯盟,如有侵權,請聯系管理員進行刪除!
 
 昆山普樂斯電子13年專注研制等離子清洗機,等離子體清洗機,等離子清洗設備,常壓大氣和低壓真空型低溫等離子表面處理設備,大氣低溫等離子體表面處理系統,大氣常壓收放卷等離子表面 設備處理的國家高新技術企業,普樂斯嚴格執行ISO9001質量體系管理,生產的等離子清洗機通過歐盟CE認證,為電子、半導體封裝、汽車、yi療等領域的客戶提供清洗、活化、刻蝕、涂覆的等離 子表面處理解決方案,是行業內值得信賴的等離子清洗機廠家。如果您想要了解關于產品的詳細內容或在設備使用中存在疑問,歡迎點擊普樂斯的在線客服進行咨詢,或者直接撥打全國統一 服務熱線400-816-9009,普樂斯隨時恭候您的來電!

普樂斯推薦

  • 【普樂斯】實驗型真空等離子清洗機儀器PLAUX-PRT5L

    產品名稱:【普樂斯】實驗型真空等離子清洗機儀器PLAUX-PRT5L

    品牌:普樂斯
    名稱:實驗型真空等離子清洗機儀器
    型號:PLAUX-PRT5L
    規格:450mm(W)×494mm(D)×734mm(H)
    功率: 約70 KW
    用途:實驗型真空低溫等離子表面處理機儀器專為實驗室測試使用,目前已經應用于多的大學院校及實驗室。
    參考價格:
     

  • 小容量達因筆電暈筆達因測試筆

    產品名稱:小容量達因筆電暈筆達因測試筆
    品牌:普樂斯
    名稱:達因筆
    別名:電暈筆,張力測試筆,達因測試筆
    規格:5ml小容量
    用途:達因筆,能簡單、快速、準確地測試出薄膜、塑膠、金屬、陶瓷、半導體、玻璃等材料的表面達因值;

  • 【普樂斯】大氣常壓收放卷等離子表面處理設備

    產品名稱:【普樂斯】大氣常壓收放卷等離子表面處理設備
    品牌:普樂斯
    名稱:大氣常壓收放卷等離子表面處理設備


  • 【普樂斯】大氣低溫等離子體表面處理系統

    產品名稱:【普樂斯】大氣低溫等離子體表面處理系統
    品牌:普樂斯
    名稱:大氣低溫等離子體表面處理系統

    型號:PTS-2000D
    規格:600mm(W)×1020mm(D)×520mm(H)
    功率: 1000VA
    案例:
    大氣低溫等離子體表面處理系統可應用于新能源行業的鋰電池電芯部位處理;汽車制造自動化產線;智能和智慧工業應用等場景。

  • 【普樂斯】SM100C水滴角測量儀

    產品名稱:【普樂斯】SM100C水滴角測量儀

    品牌:普樂斯
    名稱:水滴角測量儀
    型號:SM100C型
    含儀器主機、實驗操作軟件、標配組件、大陸地區送貨上門安裝調試培訓、一年保修服務;不含配套電腦。
    SM100C型水滴角測量儀,必須有配套電腦方能使用,可選擇由供方提供配套電腦,品牌電腦原廠三年上門保修。如用戶自配或利用原有電腦,要求一個USB口。

行業資訊

最新資訊文章

国产AV无码一区二区三区,AV无码精品一区二区三区,精品亚洲AV无码一区二区三区